文 献 综 述
摘要：近年来，CMOS图像传感器因为具有高集成、低功耗、工艺简单和开发周期短等优点而快速发展。然而传统的前照式CMOS传感器却存在噪声较大、光能利用率较低等问题，因此，背照式CMOS传感器应运而生。通过对背照式CMOS传感器成像原理的深入探究，编写出CMOS传感器的驱动时序，在FPGA板上驱动其成像，最后对低照度图像进行图像增强处理，抑制其背景噪声，保护目标图像细节。
关键词： CMOS，低照度，光电成像，FPGA
一、研究背景及研究意义
在当今的图像技术领域中，CMOS传感器较之CCD器件，具有高集成、低电压、低功耗、低成本等优势，随着工艺水平的不断提高，被广泛应用于工业、监控、航空和航天等各个领域。然而，传统的前照式CMOS传感器具有灵敏度较低、噪声较高等问题，因此，背照式CMOS传感器应运而生。背照式CMOS传感器优化了像素结构，提高了器件灵敏度，降低噪声。因为在灵敏度上有了显著提高，背照式CMOS传感器非常有利于在低照度条件下成像，所以在荧光成像、法医鉴定、高压电线电晕检测等科学研究领域有诸多运用。目前，对背照式CMOS图像传感器深入研究和开发应用已经成为当前的热门话题，其中驱动技术和数字视频成像是当前研究问题的核心之一。
二、研究现状
2.1 背照式CMOS图像传感器的国外研究现状
由于CMOS工艺的不断成熟和发展，使其在集成电路制造中占有越来越重要的地位。拥有更高灵敏度和信噪比的背照式CMOS图像传感器更是被广泛应用于科学技术层面，被各大公司开发利用。
2008年6月，索尼公司推出的背照式CMOS传感器商品名称为Exmor R，首先在DV摄像机中得到应用。 Exmor R CMOS背面照明技术感光元件，改善了传统CMOS感光元件的感光度。
2010年2月OmniVision推出的第二代背照式技术OmniBSI-2，其象素尺寸仅为l.lum，甚至可以在提供更出色成像质量的同时将这一数值缩小到0.9urn，这一新的像素技术创造了行业领先的低照度灵敏度，同时还能在一定程度上改善暗电流噪声和最大阱容。OmniBSI一技术在带来良好的成像质量的同时，还能提升灵敏度，特别是增强低照度性能。
