摘要
砷化镓（GaAs）作为一种重要的半导体材料，在微电子和光电子领域有着广泛应用。
然而，GaAs材料中不可避免地存在各种缺陷，特别是广延缺陷，例如位错、晶界等，它们会显著影响载流子的输运性质，进而影响器件的性能。
本文综述了GaAs广延缺陷周围载流子的扩散与复合的研究进展，首先介绍了GaAs材料缺陷的基本类型和表征方法，然后重点阐述了载流子扩散机制、复合机制以及缺陷对这些过程的影响。
此外，还探讨了数值模拟在研究缺陷周围载流子行为中的应用，并回顾了相关的实验研究结果。
最后，对该领域的未来发展方向进行了展望。
关键词：砷化镓；广延缺陷；载流子扩散；载流子复合；缺陷表征
砷化镓（GaAs）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有高电子迁移率、宽禁带宽度和直接带隙等优异特性，广泛应用于高频电子器件、光电子器件以及太阳能电池等领域[1-5]。
然而，实际的GaAs材料中不可避免地存在各种缺陷，例如点缺陷、线缺陷和面缺陷等。
这些缺陷会引入深能级，成为载流子的陷阱中心，影响载流子的浓度、迁移率和寿命等参数，从而严重影响GaAs器件的性能[6-8]。
广延缺陷，例如位错、晶界和堆垛层错等，是GaAs材料中常见的一类缺陷，它们通常具有较大的尺寸和复杂的结构，对材料性质的影响更为显著[9]。
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