摘要
磁性斯格明子作为一种新型拓扑自旋结构，近年来在新型磁存储器件、逻辑电路以及自旋电子学等领域引起了广泛关注。
FeCoB磁性薄膜因其低磁晶各向异性、高饱和磁化强度、良好的热稳定性等优势，成为制备斯格明子的理想材料体系之一。
本文首先介绍了斯格明子的基本概念、形成机制以及在自旋电子学器件中的应用前景；其次，重点综述了近年来国内外在FeCoB薄膜中斯格明子磁畴设计与研究方面的进展，包括薄膜制备、斯格明子尺寸的影响因素、电流驱动以及在存储器件中的应用等；最后，对FeCoB薄膜中斯格明子磁畴的设计与研究方向进行了展望。
关键词：斯格明子；FeCoB薄膜；磁畴；自旋电子学；磁存储器
随着信息技术的快速发展，人们对数据存储容量和处理速度的要求不断提高。
传统的磁存储技术已经接近其物理极限，新型磁存储技术的研究迫在眉睫。
磁性斯格明子（MagneticSkyrmion）作为一种新型拓扑自旋结构，具有纳米尺度、低驱动电流密度、拓扑保护等优异特性，为开发高密度、低功耗、非易失的新一代磁存储器件提供了巨大潜力[1-3]。
斯格明子是一种具有拓扑保护的涡旋状自旋结构，其自旋构型由Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）稳定存在。
DMI是一种反对称交换作用，通常存在于具有破缺空间反演对称性的磁性材料中[4]。
斯格明子具有以下几个显著特点：
纳米尺度：斯格明子的尺寸通常在几纳米到几十纳米之间，远小于传统磁畴的尺寸，有利于实现数据的高密度存储[5]。
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