摘要
石墨烯作为一种新型二维材料，以其优异的电学、光学、力学和热学性质，在电子器件、光电探测器、储能材料等领域展现出巨大的应用潜力。
半导体材料是现代电子工业的基石，而掺杂则是调控半导体材料电学性质的重要手段。
将石墨烯与掺杂半导体复合，可以充分发挥两者的协同效应，进一步提升材料的性能。
本文综述了不同尺寸石墨烯的制备方法，掺杂半导体的研究现状，以及石墨烯-掺杂半导体复合材料的制备方法和性能研究进展，并展望了其未来发展趋势。
关键词：石墨烯；掺杂半导体；复合材料；制备；性能
石墨烯是一种由碳原子以sp²杂化方式构成的二维蜂窝状晶格结构材料，具有优异的电学、光学、力学和热学性质[1-4]。
自2004年首次被成功制备以来[21]，石墨烯因其高载流子迁移率、宽光谱吸收范围、高比表面积等特点，在纳米电子器件、光电探测器、储能材料、生物医药等领域展现出巨大的应用潜力[5-7]。
然而，本征石墨烯零带隙的电子结构限制了其在电子器件领域的应用。
为了克服这一局限性，研究者们探索了多种方法对石墨烯进行改性，例如掺杂、化学修饰、构建异质结等[8-11]。
半导体材料是现代电子工业的基石，其电学性质可以通过掺杂进行有效调控。
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